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濰坊凱華碳化硅微粉有限公司
碳化硅微粉的化學除碳工藝
點擊次數(shù):   更新時間:23/03/10 15:19:03     來源:www.qidongjiaoche.com關閉分    享:
  碳化硅微粉的化學除碳工藝有兩種方法:加熱氧化法、化學氧化法,具體內容如下。
  1.1加熱氧化法
  通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒,使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應,以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅,從而實現(xiàn)了除碳的目的。
  利用高溫煅燒除去碳化硅微粉中的碳雜質。該方法的較佳工藝條件為煅燒溫度為900℃,煅燒時間為3h,碳化硅內部的碳雜質得到了完全去除。
  以空氣為氧化介質進行碳化硅微粉與碳雜質的分離。實驗結果表明:當氧化溫度在450~560℃之間,氧化時間在4h,雜質碳的去除率可以達到98.6%~99.2%。
  通過實驗分析可知,在一定的溫度及時間范圍內,加熱氧化法對碳化硅微粉中的碳雜質去除率可達98%,但由于粒徑為微粉級的碳化硅表面積過大,如果加熱溫度過高,易造成碳化硅微粉的表面氧化,形成的氧化薄膜二氧化硅可能將碳微粉包裹,從而不利于碳雜質的去除。
  1.2化學氧化法
  利用用硝酸、硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用,或者在酸中添加作無機氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀,使碳化硅微粉中的碳雜質以氣體的形式揮發(fā)出去,從而實現(xiàn)了對石墨和游離碳的去除。
  利用化學氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發(fā)掉,但氧化工藝所添加的強氧化性酸對人體及機器都會有強烈的腐蝕性,所以不利于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。
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